双抑制结是一种常用于电子器件中的结构,其工作原理基于PN结的特性。双抑制结可以实现高电压和高电流的双向抑制作用,主要用于电阻、电容、电感等视在负载对电路产生冲击时的保护。
双抑制结由两个PN结组成,一个是正向偏置的二极管,另一个是反向偏置的肖特基势垒二极管。正向二极管在正向电压下处于导通状态,其正向电流很小,几乎可以忽略不计。而反向偏置的肖特基势垒二极管,具有较高的反向电流,当电压斜率较大时,其反向电流较大。
在正常工作情况下,双抑制结可以忽略。但当电路中的电压或电流瞬时上升到超过设定值时,双抑制结开始发挥作用。具体而言,当电路中的电压上升至一定值时,正向二极管开始导通,正向电流开始流过。这样,当电流超过设定值时,正向二极管将开始导通,将多余的电流导入到地。与此同时,肖特基势垒二极管作为反向二极管,其正向电流较小,可以阻止多余的电流从地回流电源。
这种双向抑制作用可以保护器件免受过电流或过压的损害。通过合理设计双抑制结的参数和特性,可以将其作为保护装置来应对不同的电路冲击。双抑制结不仅可以实现快速的抑制作用,还具有高可靠性、低损耗和长寿命等优点。
总之,双抑制结的工作原理是通过正向二极管和肖特基势垒二极管的组合,实现对电路中超过设定值的电流或电压的快速抑制,从而保护电子器件免受损坏。该结构在电子器件中得到了广泛应用,可以有效提高系统的稳定性和可靠性。
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